功能描述：MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.6V @ 60μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：23.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1820pF @ 75V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 28A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：1

BSC16DN25NS3

BSC16DN25NS3 G

BSC16DN25NS3G

BSC190N12NS3

BSC190N12NS3 G

BSC190N12NS3G

BSC190N15NS3

BSC190N15NS3 G

BSC190N15NS3G

BSC190N15NS3G..